威迈斯IPO上市不雅察丨深度研发赋能 告捷科罚行业难点

发布日期:2023-03-01 19:23    点击次数:149

威迈斯IPO上市不雅察丨深度研发赋能 告捷科罚行业难点

在车载电源和电驱系统居品限制,第三代半导体碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势之一。不外,碳化硅功率器件在实质运用中面对着启动戒指明锐、瞬态热料理、EMC电磁侵扰等难点。

为科罚上述贫困,著明汽车零部件供应商威迈斯通过针对第三代半导体功率器件出台各项盘算表率、测试表率,针对不同品牌的各异遴荐不同的参数和戒指神志,酿成了范例盘算表率。

据威迈斯IPO上市招股书涌现,在启动戒指明锐方面,威迈斯扣问评估不同厂商的第三代半导体器件的参数,通过硬件电路盘算科罚功率回路中等效串联电感对启动电压的影响。

在瞬态热料理方面,威迈斯通过设置瞬态热仿真模子、晶圆径直温度标定等顺次,赢得瞬态下的热折柳数据,并基于此数据酿成系统级的瞬态热料理战略。

在EMC盘算方面,为已毕部件里面开关电磁侵扰拦截的系统性优化,威迈斯通过专利保护的EMC滤波器件以及主动EMC拦截工夫,封神之天启电视剧网盘免费在线观看优化开关电磁侵扰泉源,并通过优化上下压布局、上下压屏蔽,已毕更优的开关电磁侵扰旅途戒指及耦合串扰拦截。

基于前述中枢工夫实力,威迈斯已在第三代半导体功率器件的运用方面取得了精粹的产业化效果。公司在11kW车载电源居品及40kW液冷充电桩模块居品,告捷运用第三代半导体功率器件MOSFET,并已毕量产发货,已于2021年已毕销售收入6,887.53万元。在前述车载电源居品中,威迈斯通过使用高耐压的碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET,使得MOSFET器件数目大幅缩减,从而减小了居品的体积和分量,并涵养了居品的调遣服从。

功率电磁器件威迈斯瞬态发布于:广东省